半導体用語集
蒸着法
英語表記：evaporation method for bump formation
ウェハ上のAl電極上に，蒸着装置を用いて，はんだバンプを形成する方法。蒸着装置は，IBM社がC4（Controlled Collapse Chip Connection）に用いるはんだバンプを形成するために開発した。
形成方法は，Al電極上にメタルマスクの開口部を介して，バリアメタルを蒸着する。このバリアメタルは，はんだが濡れやすく，かつ，パッドサイズからはんだ流れが生じないように制御することから，BLM（Ball Limiting Metallurgy）とも呼ばれる。BLMには，Cr/CuCr/Cu/Au系，Ti/Cu系，Ti/Ni系，Al/NiV/Cu系を使用することが多い。BLMの形成後，メタルマスクの開口部を介してはんだを蒸着する。最終的には，約350℃の水素雰囲気中でリフローすることにより，はんだを溶融させ球状にする。蒸着法に用いるはんだ材料は，通常95Pb/5Snの高融点はんだが用いられる。
蒸着法は，メタルマスクを用いるため，狭ピッチ化には限界がある。
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