半導体用語集
裏面研削
英語表記：back side grinding
裏面研削とは，ダイヤモンドの砥粒を埋め込んだ砥石を高速回転で回転させながらウェハを削りウェハ厚さを薄くする方式のことをいう。ウェハに素子をパターニングする工程では，ウェハのそり防止（パターニングの精度劣化防止）およびウェハ強度の確保（製造工程でのハンドリング性向上）の目的から，ウェハにある厚みを持たせているが，組立工程では最終的な製品の厚さが製品ごとに規定されているために，ウェハを薄くする必要がある。なお，ウェハを薄くする方法としては，裏面研削の他にラッピング，ウェットエッチングなどがあるが，厚さの精度がよいこと，および生産性の高さから，裏面研削方式が主流である。裏面研削の方式としては，ウェハ側面がら研削を行うスルーフィード方式と，ウェハ裏面側から研削を行うインフィード方式があり，研削後の歪が少ない（ウェハそりが少ない）こと，厚さのバラツキが小さいこと，および生産性が高いことから現在ではインフィード方式が主流となっている。裏面研削は，ダイヤモンド砥石を使用しての機械的な加工であるので，研削条痕（saw mark）と呼ばれる研削の際に発生する傷が生じる。この研削条痕は，研削面の粗さ測定によって容易に観察ができ，この粗さが大きいとチップ強度（die strength）の劣化に繋がるため，極力研削条痕を低減（面粗さを小さく）する必要がある。研削条痕を低減させる手法としては，使用する研削砥石のダイヤモンドの粒径（砥粒サイズ）を小さくするのが一般的である。しかし，砥粒サイズを小さくすると研削性が小さくなり生産性が落ちてしまうため，複数の砥石を組み合わせて，生産性と研削品質を同時に確保する手法が取られている。つまり研削する厚さの大部分を，大きい砥粒サイズ （40µm～60µm）のダイヤモンドを使った砥石で高速度で研削し（粗研削），その後に砥粒サイズが，8～16µmや4～6µmなどの低砥粒の砥石を使用して研削（仕上げ研削）している。
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