半導体用語集
転位ループ
英語表記：dislocation loop
転位線はどの部分でも同一のバーガースべクトルを持つ性質があるため、転位は結晶中に終端を持つことができない。したがって転位は両端が結晶表面で終端するか、または転位が結晶内部に存在する時は閉じた閉曲線のループとなり、これを転位ループ（dislocation loop）と呼ぶ。この転位ループはバーガースベクトルに相当する分だけ、ある結晶面上をすべった領域を囲む。
転位ループは、侵入型（intersticial-type）と空孔型（vacancy-type）にそれぞれ分類できる。結晶中に存在する空孔（vacancy）や格子間原子（interstitial atom）がある結晶面に板状に集合し、それらが押しつぶされて転位ループを形成することがある。これは1個1個が独立に存在するより集合体を形成した方が、エネルギー的に安定なためである。空孔が集合した場合には空孔型の転位ループとなり、格子間原子が集合した場合には侵入型の転位ループが形成される。侵入型転位ループの例としては、FZ-SiのA欠陥があげられる。シリコンにイオンを注入した場合には、ドーズ量やイオンのエネルギーが大きいと、アニール後に転位ループが残留する。
結晶端面のある領域を機械的にパンチングした時に生じる転位ループをパンチアウト転位（POD : Punched-Out Dislocation）またはプリズマティックパンチアウト転位（prismatic punched-out dislocation）と呼ぶ。CZシリコンを熱処理した時に酸素析出物から発生するPODは、代表的な熱処理誘起欠陥である。PODの個々の大きさは通常100nm以下であるが、到達範囲は10μm近くまで及ぶことがある。
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