半導体用語集
転位ループ
英語表記：dislocation loop
転位線はどの部分でも同一のバーガースペクトルを持つ性質があるため、 転位は結晶中に終端を持つことができない。したがって転位は両端が結品表面で終端するか、または転位が結晶内部に存在する時は閉じた閉曲線のルー プとなり、これを転位ループ(dislocation loop)と呼ぶ。この転位ループはバーガースベクトルに相当する分だけ、ある結晶面上をすべった領域を囲む。
転位ループは、侵入型(intersticial-type)と空孔型 (vacancy - type)にそれぞれ分類できる。結晶中に存在する空孔(vacancy)や格子 間原子 (interstitial atom)がある結品面に板状に集合し、それらが押しつぶされて転位ループを形成することがある。これは1個1個が独立に存在するより集合体を形成した方が、エネル ギー的に安定なためである。空孔が集合した場合には空孔型の転位ループと なり、格子間原子が集合した場合には 侵入型の転位ループが形成される。侵入型転位ループの例としては、FZ-Si のA欠陥があげられる。シリコンにイオンを注入した場合には、ドーズ量 やイオンのエネルギーが大きいと、ア ニール後に転位ループが残留する。結晶端面のある領域を機械的にパチングした時に生じる転位ループをパ ンチアウト転位(POD: Punched Out Dislocation)またはプリズマティックパンチアウト転位(prismatic punched-out dislocation)と呼ぶ。 CZシリコンを熱処理した時に酸素析出物から発生するPODは、代表的な熱処理誘起欠陥である。PODの個々の大きさは通常100nm以下であるが、到達範囲は10μm近くまで及ぶことがある。
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