半導体用語集
近接効果補正
英語表記：proximity effect correction
電子ビームがレジスト中および基板で散乱することにより起こる近接効果を、描画パターン形状や露光量を変化させることにより、設計どおりのパターンをえることを近接効果補正という。
代表的な近接効果補正法としては、照射量補正とGOHST法があげられる。照射量補正は、パターン密度の違いによる後方散乱電子量の差を補正するように、パターンごとに最適な照射量を設定する近接効果補正法である。GOHST法は、所望のパターンの露光を行った後、電子の後方散乱径程度にぼかしたビームでその反転パターンを露光することで、先に行った露光において生じた後方散乱電子を補償する近接効果補正法である。GOHST法は近接効果補正のために二重露光を行うためスループットの低下が無視できず、実用的な近接効果補正としては照射量補正が主流となっている。パターンの微細化に伴って、前方散乱の影響まで考慮した近接効果補正法も考案されている。
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