半導体用語集
連続チャージ法
英語表記：continuously charged Czochralski method
連続チャージ法は、偏析現象による結晶成長軸方向の抵抗率不均一問題の解決の一つの手段として、あるいは、結晶のコスト低減のために、考案された引き上げ方法である。連続チャージは、単結晶引き上げと同時に、固化した重量に見合ったポリシリコン原料を溶融する方法であり、引き上げ中に供給するポリシリコンは、粒状、ロッド状、液体などが考案されている。粒状やロッド状の原料を供給する場合には、二重るつぼ（二重構造の石英るつぼ）を使用し、内側のるつぼ内で単結晶を引き上げ、外側のるつぼに原料を供給することが一般的なスタイルである。一方、液体による供給については、原料溶融用のチャンバからパイプによって供給するスタイルになるが、量産ベースでは行われていないと思われる。なお、結晶引き上げ途中で転位が発生した場合には、通常のバッチ引き上げでは、メトルバック（再溶融）して、引き上げのやり直しが可能であるが、連続チャージ法の場合には、ポリシリコンの供給とともに、ドーパントの供給も行うため、途中でメルトバックを行うと抵抗率が狙い値からずれてしまう問題がある。また、通常より長い時間シリコン融液を保持するため、石英るつぼの熱耐久性については考慮が必要で、大口径になるほどシビアになる。さらには、供給する原料の純度についても、注意が必要である。
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