半導体用語集
酸化膜CMP
英語表記：oxide CMP
半導体デバイスのCMPによる製造プロセスにおいて、広義には、絶縁膜のCMPプロセス全般を、狭義にはそのうち層間絶縁膜のCMPプロセスのことをいう。各膜を成膜した後、表面の凹凸を平坦にするためのCMPプロセスは、大きくわけて導体である金属膜のCMP、半導体であるポリシリコンのCMPそして不導体のシリコン酸化膜（絶縁膜）のCMPに分けられる。絶縁膜のCMPは素子分離のCMP（STI）と層間絶縁膜のCMP（ILD）に分けられる。酸化膜CMPは、広義にはSTI、ILDのCMPを指し、狭義にはILDのCMPのみを指す。研磨される絶縁膜の材料は、TEOS、BPSG、HDPであり、QC用として熱酸化膜を研磨することもある。研磨用スラリーには、主としてシリカ（SiO2）、セリア（CeO2）などの砥粒を用いたものが使われる。研磨布は、発泡ポリウレタン、不織布などを用いることが一般的である。
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