半導体用語集
FeRAM
英語表記：Feroelectric Random Access Memory
強誘電体RAM。フラッシュメモリなどと同様、電気を切っても記憶が切れない不揮発性メモリであるが、DRAM同様にランダムアクセスが可能であるため、究極のメモリといわれてきた。低コスト化と大容量化が進むと、潜在的には、磁気テープ、磁気ディスクだけでなく、DRAMやSRAMといったすべてのメモリを置き換える可能性すらある。しかし、従来は、読み書きを繰り返すと、強誘電体の特性が失われるという欠陥から、信頼性が低く、期待と皮肉を込めて、「夢のメモリ」といわれてきた。初期は、主要な半導体メーカーも開発していたが、近年は、米国のベンチャー的企業が開発、製造しているに留まっていた。また、日本メーカーの中にはDRAMのキャパシタの誘電率を上げる中で、DRAM、 FeRAM切り換えの応用もあった。90年代に入り、材料特性が改良され、強誘電特性が劣化するという問題点は解決されたという報告もあり、メーカーの中には小容量ながら、ICカードやシステムLSIのコア向けに最産を始めたものもある。ただ、一方では、プロセスが難しく、信頼性も解決されていない、との指摘もある。現在、16k～256kの容量のものの量産が開始されている。市場規模は、業界推定で98年度50～100億円程度。2000年には500～1,000億円との期待もある。さらに、将来は、不揮発性が電子マネー向けICカードなどに最適であり、キャパシタにおけるスケーリング則がないことから、21世紀半ばにはDRAMなどを代替するとの期待も強い。
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株式会社アルバック
FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAMなどに用いられる難エッチング材料（強誘電体、貴金属、磁性膜等）のエッチングに対応したマルチチャンバー型の低圧・高密度プラズマエッチング装置です。
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