半導体用語集
HFET
英語表記：Heterojunction (Heterostructure) Field Effect Transistor
半導体ヘテロ接合を用いた電界効果型トランジスタの総称。ヘテロ接合材料としては、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体が主に用いられてきたが、最近ではSi/SiGeのようなⅣ族半導体も用いられるようになった。ヘテロ接合を用いるメリットは、バンド構造を人為的に変更あるいは設計できるため（バンドエンジニアリングと呼ぶ）、キャリアの強い閉じ込めや輸送特性を制御できる点にある。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のヘテロ接合は、MBE法（分子線エピタキシャル成長法）、あるいはMOCVD法（有機金属気相エピタキシャル成長法）と呼ばれる原子レベルの膜厚制御性を持つ結晶成長法が用いられ、Ⅳ族半導体では高真空CVDや減圧CVDが用いられる。代表的なHFETには、変調ドーピングを施した高電子移動度トランジスタ（HEMT）がある。その他、MESFETの表面層として、ポテンシャルバリアの高いノンドープ半導体層を用いたDMT（Doped Channel MIS-like FET）がある。DMTは、ゲート耐圧を高く、不純物起因の1/ƒノイズが小さいなどの特徴がある。HFETは、一般にGaAsMESFETにくらべて、基板あるいは作製コストが高いため、 MESFETでは到達できない高速・高周波帯用に実用化されている。
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