半導体用語集
ON膜
英語表記：Oxide/Nitride film
DRAMの容量誘電体材料として1 MDRAM程度までのプレーナ型セルには熱酸化膜が、4 M
DRAM以降の立体型セルには通常ON膜が用いられている。ON膜はSiO₂とSi₃N₄の積層膜である。 Si₃N₄膜は比誘電率が約7で、SiO₂の約3.9にくらべて大きいため、大きなDRAM容量をえるのに有利であるが、SiO₂にくらべてリーク電流が大きいため、SiO₂との積層膜にするのが通常である。一般的な形成方法としてはポリシリコンの洗浄表面にCVDによりSi₃N₄膜を形成し、続いて850∼900℃でSi₃N₄膜の酸化を行う。実際にはポリシリコン表面には薄い酸化膜が形成されていてONOの三層膜となっている場合が多い。
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