半導体用語集
RTP
英語表記：RTP（Rapid Thermal Processing）
急速に昇温・降温を行い、試料に熱処理を加える技術で、RTA: Rapid Thermal Annealingとも呼ばれる。
ウェハを1枚ずつ処理する枚葉処理で、ハロゲンランプなどによる放射光で加熱する方式が一般的である。電気炉を用いた熱処理と比較して、昇降温に要する時間が大幅に短縮できるため、ウェハに加わるトータルの熱処理量（Thermal Budget）を低滅できるという特徴を持つ。一般に、Thermal Budgetが増加すると、トランジスタのソース・ドレイン領域でドーパントの拡散が起こり、接合が深くなる傾向がある。微細化されたMOSトランジスタで問題となってくる短チャネル効果の抑制には、浅い接合の形成が必要であるため、RTP技術の適用が有効となる。RTPのサリサイドプロセスヘの適用では、Thermal Budget低減によってシリコンの横方向拡散による「這い上がり」現象が抑制できるという利点がある。また、雰囲気制御が容易であるため、熱処理中の残留酸素濃度を低減することが可能であり、シリサイド形成時の酸化を防止できる。一方、RTPでは急激な温度変化によって強いストレスが試料に加わるため、ウェハエッジを起点とした「スリップ」と呼ばれる線状の結晶欠陥が発生することがある。「スリップ」の対策にはウェハ面内で均ーに昇降温する技術が必要となる。
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