半導体用語集
COP
英語表記：crystal originated particle
SiのCZ結晶ウェーハをSC-1洗浄すると、表面欠陥測定機によって0.1～0.2µｍのあたかも粒子が存在するかのように計数される微小ピットが現れる。通常の光散乱方式の装置では実粒子と識別できないものをCOPと呼ぶ。結晶引き上げ条件で発生度合が影響され、SC-1洗浄の繰返しで増加することから一種の結晶欠陥のエッチング跡と考えられている。
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