LDD（Lightly Doped Drain） | 半導体用語集 |半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION（WEB展示会）による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET（セミネット）

半導体用語集

LDD

英語表記：Lightly Doped Drain

MOSの微細化が進むにつれ、デバイス寸法と同じようには電圧のスケーリングができないため、ソースとドレイン間の電界が大きくなってくる。0.1μmのチャンネルに、1Vの電圧が掛かると、電界は1×107V／mとなる。このような高電界で電子やホールのキャリアが加速されると、ドレイン近傍でホットキャリアとなり、ゲート酸化膜へ飛び込んで損傷を生じ、トラップを形成する場合がある。これを防ぐためにはドレイン端に不純物濃度の低い領域を設ける。不純物濃度が低いと、欠乏層が広がって電界強度が減少し、ホットキャリアの発生を低減することが出来る。この構造をLDD（Lightly Doped Drain）と呼ぶ。製法は、ゲート電極をマスクにして低濃度イオンを注入してLDD部を形成する。次いでCVDでSiO2をつけ、異方性エッチングでサイドウォールを形成し、これをマスクにソース／ドレインをイオン注入する。