半導体用語集

OSF

英語表記:oxidation induced stacking fault

シリコンを酸化することにより、注入される格子間シリコンがウェーハの表面のダメージ、汚染あるいは結晶欠陥に集まり形成される積層欠陥。


関連製品

SiC MOSFETチップ(デバイス)およびモジュール市場の規模、シェア、予測(2025年~2035年)

KD Market Insights Private Limited

KD Market Insightsは、「SiC MOSFETチップ(デバイス)およびモジュール市場の将来動向と機会分析(2025年~2035年)」と題した市場調査レポートの発刊を発表できることを嬉しく思います。本レポートの市場範囲は、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報を網羅しており、読者が十分な情報に基づいたビジネス上の意思決定を行えるよう支援します。

技術/特許/M&A › 技術 › 半導体(素子・構造・回路など)


スーパー ジャンクション MOSFET 市場規模・シェアおよび予測(2025〜2035年)

KD Market Insights Private Limited

KD市場インサイトは、『スーパー ジャンクション MOSFET 市場 将来動向と機会分析 – 2025年から2035年』というタイトルの市場調査アンケートレポートを発表できることを嬉しく思います。本レポートの市場範囲には、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報が含まれており、読者が十分な情報に基づいてビジネス判断を行えるようになっています。

技術/特許/M&A › 技術 › 半導体(素子・構造・回路など)


シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET

グローバルネット株式会社

東大生研、李 珍秀

自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会


超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性

グローバルネット株式会社

慶大理工、押尾 世文

自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会


会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。