半導体用語集
R-SF
英語表記：Ring Stacking Fault
過剰な格子間シリコンが原因となってウェハ面内にリング状に発生する積層欠陥（Stacking Fault ：SF）を指す。シリコン表面の熱酸化で発生する酸化誘起積層欠陥（OSF）とは成因が異なる。また前述OSFと異なり結晶内部に発生するため、リングSF（R-SF）と呼ぶのが正確な表現であるが、通例リングOSF（R-OSF）、OSFリングなどとも呼ばれている。リングの内側には空孔過剰領域があり、外側には格子間シリコン過剰領域がある。また隣接して過剰な格子間シリコンや空孔が少ないN領域を持つ。CZ-SiのR-SFはFZ-SiのA欠陥と対応する。R-SFは1,000℃以下の熱処理でも、面密度で103～104cm-2程度に発生する。酸素析出物を成長させる熱処理やCuデコレーション後のX線トポグラフィでは、周囲の強度が強い領域に囲まれてリング状のX線強度が弱い領域として観測可能である。R-SFはストリエーションに沿って発生していることがわかる。R-SF領域内では酸素析出は起こらない。これは過剰な格子間シリコン（I）により、酸素析出反応
2Si+2Oi→SiO2＋I
が抑制されるためである。また熱酸化した場合にはRｰSF領域の酸化膜厚は周囲より薄くなる。これは酸化時に放出される格子間シリコンがSFの成長に消費されるためと考えられている。R-SF領域にはSFの核があり、核は格子間シリコンと結合した格子間酸素、または微小酸素析出物の周りに凝集した格子間シリコンに起因すると考えられている。R-SFのリング径は、引き上げ速度を上げると増大して、結晶インゴット外部に追い出すことができ、また速度を低下させると縮小して結晶内部に消失する。通常の量産用のシリコンウェハは、R-SFの発生しない条件で育成される。
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