半導体用語集
RCA洗浄
英語表記：RCA Cleaning
1970年に米国RCA社が提唱した次のような工程及び組成から成るSiウェーハの洗浄法。
(1)アンモニア：過酸化水素：水の容積配合比＝1：1～2：5～7の洗浄液（SC-1液又はAmmonia-
Hydrogen Peroxide Mixture, 略してAPM液）に、75～85℃、10～20分の浸漬処理。有機性汚
れ、及び付着粒子の除去ができる。
(2)フッ酸水溶液（1：99の希釈液、Diluted Hydrofluoric acid略してDHF液）に、室温、数十秒
の浸漬処理。シリコン酸化皮膜が除去できる。
(3)塩酸：過酸化水素：水の容積配合比＝1：1～2：5～7の洗浄液（SCｰ2液又は）Hydrofluoric acid-Hydrogen Peroxide Mixture, 略してHPM液）に、75～85℃、10～20分の浸漬処理。表面金属不純物の除去ができる。
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