半導体用語集
コンタミネーション
英語表記：contamination
半導体デバイスの製造プロセスにおいてデバイス特性やプロセス歩留りに影響を与える不純物、微小なゴミなどを総称してコンタミネーション（汚染源）と言っている。コンタミネーションは次の3種類に大きく分けられる。①原子、イオン、分子状不純物、②原子、イオン、分子の層状不純物、③微粒子状異物（パーティクル）である。半導体デバイスでは原子、イオンの量を所定の濃度に制御することがデバイス特性上重要であるため、必要以上の原子、イオンは不純物とみなされ汚染源となる。また、製造プロセスにおいては種々の化学反応が用いられ、分子状の反応生成物が生じる。これらはデバイス表面に残留したり、付着するなどしてデバイスパターンの形成を妨げるため、不純物とみなされやはり汚染源となる。クリーンルームにおいては特にパーティクルの大きさと量が所定の仕様値内になるように制御される。これはデバイスの設計ルームとパーティクルの間に歩留まりを決める相関関係が認められるからである。
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