半導体用語集
ステップカバレッジ
英語表記：Step coverage
段差被覆性ともいい、基板上の段差の下部と上部における堆積膜厚の比である。具体的には、段差部やホールに薄膜形成したとき、
ステップカバレッジ＝ 最も薄い部分での厚膜／平坦部分での膜厚 で表される
物理的成膜(PVD)法である蒸着やスパッタリングで薄膜を基板上に堆積すると、蒸発した分子や原子が方向性(角度分布)をもって直進するため、基板の法線に対して特定の入射角度で分布する。このため、基板平坦部への堆積は均一でも段差や深い穴の底部における膜厚の不均一性が生しる。これを定量化するために段差下部あるいは穴の底部の膜厚を平坦部の膜厚をで割った値を%表示する。
LSI製造プロセスにおいて、素子の微細化、多層化が進むにつれ、複雑な形状に対応するためステップカバレッジの改善が、強く要求されている。これまで、ステップカバレッジを改善するため、高温成膜、低圧力成膜、膜組成の最適化などの成膜プロセスの見直しや、エッチバック法、CMPなどの平坦化プロセスの導入などが試みられている。またステップカバレッジの向上は、デバイス設計の余裕度を高くするとともに、製品信頼性の向上につながるため、薄膜性質として重要視されている
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