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半導体用語集

ダイシング装置

英語表記：Dicing Equipment

　半導体素子が作り込まれたシリコンなどのウェハ（wafer）を個々のダイ（die）に切断，分割する装置。単にダイサ（dicer）ともいう。ダイシング工程は，ウェハ工程と組立工程の中間に位置づけられる。
　ウェハを個々のダイに切断，分割する方法は，ブレードダイシング法（blade dicing），ダイヤモンドスクライビング法（diamond scribing），レーザスクライビング法（laser scribing）などがある。現在では品質，生産性，コスト面から，ブレードダイシング法が主流である。したがって，ダイシング装置といえば，ほぼこのブレードダイシング法を指す。分割後の処理を容易にするために，ウェハはウェハシート（wafer sheet）でテープフレーム（tape frame）に貼りつけた状態で供給される。
　加工原理は，外周にダイヤモンド砥粒を電着した幅0.02～0.05mm，外径2インチ程度の円板型の極薄切り刃（ブレード，blade）を約30,000～40,000rpmで高速回転させ，切削水下で約50～100mm/secの切削速度で連続的に切断する。
　装置構成は，ウェハを供給，収納する搬送部，ウェハアライメントする認識部，ブレードを高速回転させるスピンドル部，ウェハを保持するウェハステージ部，切削後に洗浄する洗浄部などからなる。スピンドル部はz軸，ウェハステージ部はX-Y-θ軸を搭載しているのが一般的である。全自動ダイサでは，フレーム力セットからのウェハ取り出し，ウェハ位置決め，ダイシング，洗浄，乾燥，収納までの一連の工程を全自動で処理する。
　ダイシング装置の課題は，今後本格化する大口径化（300mmウェハ），ウェハ薄型化への対応がある。特にウェハのそりの問題があり，品質の向上とともにハンドリングの信頼性向上が課題である。
　最近，前工程を中心に300mmウェハ化に伴う標準化がI300I（欧米）/J300（日本）間で進められ，後工程関連装置も1998年12月にテープフレーム，フレームカセットの標準化と，装置のガイドライン（Global Joint Guidance）が発表された。

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