半導体用語集
デュアルダマシン
英語表記：dual damascene
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、絶縁膜上に配線溝とビアホール（上層配線と下層配線をつなぐ配線溝）を形成した後、配線金属材料を堆積して両方を同時に埋め込み、研磨によって溝内にのみ配線金属を残し、多層配線を形成する手法のことをいう。配線とビアを別々に形成するシングルダマシンとは区別される。銅のようにエッチングし難い金属も配線材料として使える。配線金属を研磨するため層間の平坦化工程がなくとも平坦な配線構造が得られ、微細配線の多層化が容易、製造工程数も短縮でき製造コストを削減できるという利点がある。特に、0.18μmルール以降のロジックデバイスでは、配線遅延を改善するため銅のデュアルダマシン配線が用いられるが、配線溝を形成後ビアホールを形成する（trench first）、ビアホール形成後に配線溝を形成する（via first）に大別される。
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