半導体用語集
デュアルダマシン法
英語表記：dual-damacene
ダマシンとは ”象嵌”のことである。狭い意味では自己整合技術と呼ばない場合もあるが、より進んだダマシン法ではコンダクト電極と配線電極の縁が一体となるので、自己整合 "的" である。すでに前掲図1 (e)に示しているが、まず層間絶縁膜にエッチングによって膜厚の半ばまで配線を埋め込む溝を形成し、続いて次のコンタクト孔形成パターンによって孔を形成する。その後電極を全体に被着し、上面を化学的機械研磨CMP (Chemical Mechanical Polishing) で削れば、図 1(f)に示すように配線電極が形成できる。配線溝と接続孔の形成順序を逆にしても同様の構造をえることができる。コンタクト孔のパターンはその一部が配線部分にかかっていればよいので、マスク合わせの余裕が大きい。その意味で、上記のボーダレス配線と同様の長所を持つ。
より制御性の高いプロセスとしては、層間絶縁膜の中間に薄いSi3N4 膜を挿入して配線溝形成時のエッチング阻止膜とし、その膜を利用してコン タクト孔を開ける。この時コンタクト孔のパターンは配線幅より十分大きく取るが、結果としてコンタクト孔は配線部分のみエッチングされるので、この場合には完全にコンタクト孔と配線は自己整合で形成される。
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