半導体用語集
ドライ酸化
英語表記：dry oxidation
熱酸化を行う際、酸化剤として02または不活性ガスで希釈した02を使用する酸化方法はドライ酸化と呼ばれている。酸化剤の供給や排気ガスの処理が楽なために、スチーム酸化、塩酸酸化とくらべ装置的には簡便である。ドライ酸化法で形成された酸化膜中には、界面付近の固定電荷や、ホールトラップの原因となる酸素欠損が多く含まれている。またドライ酸化膜は、スチーム酸化膜とくらべ経時絶縁破壊耐性も劣っており、単独でゲート絶縁膜に使用されることはあまりない。
一方、スチーム酸化膜は電子トラップが多く、ドライ酸化膜とトレードオフの関係になっている。両者の欠点を補う目的で、02よりも酸化力の強い 03を酸化剤として用いた03酸化法が開発され、経時絶縁破壊耐性、界面準位特性に優れ、電子トラップ、ホールトラップの少ないゲート絶縁膜がえられている。特にその効果はゲート絶縁膜の薄膜につれて顕著である。
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