半導体用語集
フォトレジスト
英語表記：photo resist
デバイス基板を加工するために，リソグラフィ技術では一般にレジストと呼ばれる高分子樹脂の薄膜を媒体としている。光，電子，イオンを用いた各種の露光方法によってレジスト膜にデバイスパターンの潜像を形成し，この潜像を現像処理することによって実際のレジストパターンをえる。この後このレジストパターンをマスクとして下地の基板を加工することになる。このため，レジストに要求される性質として，各種のエネルギー線に感度を持つこと，このエネルギー線の露光感度に応じて感度が急峻に変化すること，そしてリソクグラフィ工程の後に続くエッチング工程などで十分な工ッチング耐性を持つことなどがあげられる。光，電子，イオンなどが照射された部分のレジスト膜が，後に続く現像処理によって溶けてなくなってしまうポジ型のものと，逆に光，電子，イオンが照射された部分だけが，現像後に残るネガ型の2種類がある。これらは目的に応じて使い分けられる。光リソグラフィ技術では主にポジ型のものが広く用いられている。露光方法によってプローブとなるエネルギー線のエネルギーが異なるため，それぞれのエネルギーに高い感度を持ちかつ高精度パターン形状をえるために高コントラストの材料が開発されている。量産デバイスに要求される，高スループット，高解像度特性はフォトレジストの高感度化，高コントラスト化によることが大きい。
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