半導体用語集
ホウ素
英語表記：boron
ホウ素は、Ⅲ族の元素で、p型の導電型を示す。ホウ素は、エピタキシャルウェハの基板結晶用として、高濃度にドーピングはする場合は、そのままドープ剤として使用し、バルクウェハ用結晶として使用する場合は、一度ホウ素をドープしたシリコン単結晶を引き上げ、抵抗率を測定してアービンの式を用いて濃度を求め、適当なサイズに粉砕してドーパントして利用する。ホウ素の偏析係数は0.8と代表的なドープ剤の中では最も大きい値を持つ。融点は2,550℃、シリコンに対する固溶限界は8×1020/cm3（1,410）である。粉塵が空気と接触すると発火する危険がある。
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