半導体用語集
ラジカル
英語表記：radical
<p>光、電子、励起原子、励起分子、イオンなどとの相互作用や衝突による反応過程において、安定な基底状態にある分子のある結合が切断され、次の結合がいまだ形成されていないような原子の集団が生成される。このような粒子をラジカルという。</p><p>普通、ラジカルは化学反応の過程で短時間生成する寿命の短い分子であり、他の原子や分子と直ちに化学結合を形成して分子として安定化する。これは、ラジカルが有する不対電子に起因する。 不対電子がラジカルを活性化し、ラジカルが単独に存在する時間を短くしている。不対電子を持たないが化学的に活性な分子としてSiH2やCF2など存在する。 </p><p>一般に半導体プロセスにおいては、このような化学的に活性な分子を広くラジカルとして取り上げている。特に、プラズマ中には、電子衝突による反応性ガスの分解によってラジカルが発生し、エッチングや堆積反応に重要な役割を果たしている。エッチングプロセスにおいては、Cl、CFx(x=1～3)、SiFx（x=1～3)、薄膜堆積プロセスにおいては、SiXx（x= 1～3)、CHx(x=1 ～3)など多種多様ラジカル種が様々な反応性ガスの分解から生成される。したがって、プラズマ中でのラジカルの計測が分光的な手段や質量分析計などを用いて活発に行われている。</p>
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