半導体用語集
不純物濃度
英語表記：impurity concentration
理想的な金属と半導体界面でショットキバリアが形成される時は、コンタクト特性はオーミックにならず、整流特性を示す。しかし、半導体基板の不純物濃度を高くすると、フェルミレベルは、ｎ型半導体の場合は伝導帯側、 p型半導体では価電子帯側によるため、金属/半導体界面における半導体バンド構造は大きく曲がる。これによ りバリアの幅が急峻になるため、キャリアはバリアをトンネルするようになる。その結果オーミックコンタクトを形成できる。不純物濃度が低い時に は、バンドの曲がりが小さく、キャリアのトンネルは起こらないため、コンタクト特性は理想的なオーミックにはならず、高抵抗となる。
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