半導体用語集

移動度

英語表記:Mobility

移動度(Mobility)は、物質の電気を運ぶキャリアの移動のし易さを表す指標です。長さ1cmの材料の両端に1ボルトの電圧をかけた時のキャリアの走る速度です。単位は、?/V・secで、μ(ミュー)という記号で表す。
           μ= キャリアの速度/電界強度 
シリコン結晶内部の移動度を左図に示す。電子の移動度は、正孔の移動度より3倍大きい。移動度の大きさは材料によって変わり、一般に移動度の大きな半導体ほど高周波、高速デバイスに適する。移動度は結晶の不純物濃度、結晶性、温度、結晶歪によって変化する。                     



関連製品

N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化

グローバルネット株式会社

山口大、藤井 開

自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会


会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。