半導体用語集
前処理
英語表記：pretreatment
一般に、膜形成前のウェハの表面処理を総称して前処理といい、プリクリーニングと呼ぶこともある。 方式的には、溶液を用いた洗浄であるウェット処理と、プラズマを用いたドライ処理がある。選択W-CVDの場合、前処理の目的は次の二つに大別できる。第ーは、下層の導電層 (Si、Wなど) との良好な電気的な接触を実現するために、導電層の表面をクリーニングすることが目的である。 この目的では、希フッ酸によるウェット処理、H2、NF3、HCl、BC13、 Clなどのガスを用いたプラズマ処理の報告例がある。
第二は、選択性破れを改善することが目的であり、酸化膜表面のクリーニングが対象となる。この目的では、金属汚染やパーティクルの除去を目的としたRCA前処理などの洗浄、あるいは希フッ酸による酸化膜表面のダメージ層の除去が、ウェット処理として用いられる。ドライ処理としては、H2/NF3、BCl3、HClなどのプラズマ処理が選択性の改善に効果を持つという報告がされている。
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