半導体用語集
形成方法
英語表記：formation method
サリサイドの形成は、一般に以下に示すプロセスフローで行われる。
(1)絶縁膜のサイドウォールを備えたポリシリコンゲートのトランジスタを形成する。
(2)シリコン表面に成長した自然酸化膜を除去した後、ウェハ全面にスパッタ法などで金属膜を
形成する。
(3)熱処理を加えてシリコン上に形成された金属膜のみをシリサイド化する。この時、絶縁膜上
の金属膜はシリサイド化せず未反応で残る。
(4)金属膜を溶解するがシリサイド膜を溶解することがない薬液を用いて、絶縁膜上に残った未
反応の金属膜を選択的に除去する。
また、(3)の熱処理を比較的低温で行い、(4)の未反応金属膜の選択除去の後に、再度高温の熱処理を加える、2ステップアニール法も用いられている。2ステップアニール法では、一度に高温の熱処理を加えないため、シリサイド反応を制御しやすく、横方向拡散が抑制できるという利点がある。
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