半導体用語集
方向性
英語表記：directional
この形状は、主にフッ素・Si系でイオン照射がある場合に起こる。すなわち、SiFx層のうち、SiF₁、SiF₂、SiF₃は基板Siとまだ結合を有しているが、この表面にエネルギーを持ったイオンを衝撃すると、たとえば1 KeVのAr⁺イオン1個の衝撃で約25 個のSi原子を放出し、イオン照射方向にさらに反応が進む。この増速反応は、イオンがSiFx層に侵入し、カスケード衝突により
Si-SiやSi-F結合を切断/修復し表面と「弱く結合」したSiF₂やSiF₄ を同じくカスケー ド衝突により脱離させるケミカルスパッタリングで行われると考えられている。この反応をイオン増速反応と呼ぶ。
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