半導体用語集
異方性
英語表記：anisotropic
この形状は、C12を水銀ランプや KrFエキシマレーザを用いた光励起ドライエッチングでえられ、Si (100) 面に照射した時Si ( 111 ) 面が現われる。この機構は、C12から光分解でCl 原子が生し, 同時に光照射により生成された正孔ー電子対の電子がCl原子に付着し負イオンとなって, 正電荷の Si とクーロンカで反応するが、その際Si (111) 面のSiの共有結合半径で占める以外の原子空隙半径が(100) のそれより小さく、塩素原子が侵入し難いことから生じると考えられている。プラズマエッチングでは円筒型リアクタを用い塩素プラズマ中でSi (111)面が生じる形状がえられた例があり、これは塩素原子とプラズマからの励起光照射と高温下で上述と似た反応が起こったためと推察される。
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