半導体用語集
真空蒸着
英語表記：evaporation
真空中で固体を加熱して蒸発あるいは昇華させて気体にしその蒸気を基板ウェハ上で凝縮させて薄膜を形成する技術をいう。蒸発は固体の蒸気圧pと分子量mで決まる蒸発速度、w = ap₀m/2pRT で決定される。ここで、Rは気体定数、Tは絶対温度、aは蒸発係数である。蒸発した分子は点蒸発源を中心として三次元空間に均等に飛び出し、単位立体角中の分子束は蒸発源の表面積をAとすると、F=wA/4p で表わされる。平均自由行程より短い距離にある基板にはほとんど散乱を受けずに到達し、表面で結晶核を作りクラスタ化し薄膜を形成する。固体蒸発源の加熱方法として抵抗加熱、電子ビーム加熱などがある。特殊な蒸着として超高真空で高純度エピタキシャル膜などを形成する分子線蒸着（MBE : Molecular Beam Epitaxy）や分子をイオン化するクラスタイオンビーム蒸着がある。
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