半導体用語集
表面電位
英語表記：surface potential
無限遠から表面の影響のない固体内部の点 i まで周りに影響を与えないくらい小さな点電荷 q を無限の時間をかけて運ぶ。その時の仕事を Wi とした時、ɸI=Wi/q を内部電位と呼ぶ。また、同じ電荷を無限遠から表面近傍の外側の点Oまで運ぶ。その時鏡像電荷が固体内部に現われるが、その影響がない領域までにする。その時の仕事をW0とすると、ɸ0=W0/qをを外部電位と呼ぶ。この二つの電位の差ɸs=ɸI ーɸ0を、表面電位と呼ぶ。
n型半導体と金属が接触する時を考える。n型半導体のフェルミ準位（EF）は伝導帯直下に位置し、金属の EFより高い（真空準位から見て浅い）。両者を接触すると、電子は半導体から金属へフェルミ準位が等しくなるまで移動する。したがって、半導体は正に、金属は負に帯電する。 半導体のドナーの濃度が小さいので、フェルミ準位が一致するためにはかなり奧まで正に帯電する。 このため、 半導体の価電子帯、 伝導帯に曲がりが生じる。これをショットキ障壁と呼ぶ。この現象は半導体が金属に接していない時でも起こる。 半導体表面には種々の表面準位がある。 それらの電子またはホールに対する電位を内部の電位と合わせるためにバンドが曲がる。その曲がりの程度を決める量が表面電位である。この時は電位の基準を半導体内部に取り、内部でɸ= 0とする。半導体表面での電位はɸ=ɸsになっている。このɸsで表面電位を表わす。
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