半導体用語集
表面電位
英語表記：surface potential
MOS電界劾果型トランジスタ（MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）や金属-絶縁体-半導体（MIS：Metal Insulator Semiconductor）構造における半導体界面付近では，一般に，金属と半導体で仕事関数（真空準位とフェルミ準位の差）が異なるため，両者のフェルミ準位が一致するように半導体界面に電荷が誘起され，その静電ポテンシャルのために界面付近の伝導帯と価電子帯はエネルギーの高い（または，低い）方向に曲げられる（バンドべンディング）。この時，表面はバルク結晶と異なるポテンシャルを持つことになり，その伝導帯と価電子帯の曲がりに対応するエネルギーを表面電位と呼ぶ。
表面電位φsは，MIS構造に電圧を加えた時の挙動を表現するのに便利なエネルギー値である。異種の不純物原子を含まない半導体（真性半導体）においては，フェルミ準位は伝導帯と価電子帯のほぼ中央に存在する。このフェルミ準位とMIS構造のドープしたp型半導体におけるフェルミ準位の差をφBと定義する。φs
関連製品
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「表面電位」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
