半導体用語集
誘電率
英語表記：dielectric constant
誘電体の特徴を表す誘電率ε0との比を、εγ= ε/ε0と定義する。真空の比誘電率は1であり通常の物質はεγ＞1 となる。 キャパシタの電極間に誘電体を入れると真空状態にくらべて容量がεγ倍に増加する。すなわち同じ膜厚、面積の誘電体を用いる場合は比誘電率が高いほど容量が大きくなる。通常DRAMのキャパシタ容量で用いる誘電体であるSi02、Si3N4はそれぞれ約3.9、7である。一定量の容量を必要とするDRAMキャパシタでは比誘電率が高い材料のほうが有利となる。 そこで、Ta205 (εγ= 22) やBST (εγ＞300) のよ う な比誘電率の高い材料が DRAMキャパシタ誘電体として開発が進んでいる。
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