半導体用語集
CMP
英語表記：chemical Mechanical Polishing
砥粒などの粒子による機械的な除去作用と加工液による化学的な溶去作用を重畳させた研磨（ポリシング）方法で、化学的機械研磨（Chemical Mechanical Planarization）の略。また、化学的機械研磨による平坦化（Chemical Mechanical Planarization）の意味で使う場合もある。米国IBM社が、基板表面の段差を平坦化する手法に取り入れたときから一般的に呼称されたものであるが、とくにLSI用シリコンウェーハの鏡面仕上げ加工に用いられてきた実績がある。シリカやアルミナなどの微粒子をアルカリ性あるいは酸性の化学的水溶液中に混合、分散させた研磨剤（スラリー）と、弾性研磨布（研磨パッド）が使用される。加工レートRは、所謂プレストンの経験式（R=k・p・v、ｋ:定数、p:加工圧力、v:相対速度）で示される。シリコンウェーハを例にすれば、砥粒により直接削り取られるというよりも、ウェーハ面に生成された水和物膜が砥粒で除かれ加工が進行すると一般的に考えられている。加工変質層深さもほとんど皆無に近く、高能率で鏡面に仕上げられる特徴がある。加工対象によって、研磨布や砥粒や加工液の種類、濃度、pHなどを選んで加工する。酸化膜（SiO2）のCMPは、KOHなどのアルカリでpHを制御したシリカスラリーを用い、Si-O-Si結合を切り離し、Si(OH)4のような水和物にした後、微粒子によって除去していく。一方、メタルのCMPは、酸化剤を添加した酸性溶液の中にアルミナやシリカ粒子を分散させたスラリーで、メタル表面に生成させたメタル酸化膜を微粒子が除去するメカニズムと考えられている。加工対象が何であろうとも、CMP後の洗浄が汚染防止のために極めて重要である。
関連製品
Towards accurate CMP simulations: Bridging experimental data and numerical models for 6-in SiC wafers
グローバルネット株式会社
Aixtal Corporation(https://aixtal.com/)、Roberto Iaconi
自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会
電子デバイス用基板とCMP関連市場分析レポート2025
グローバルネット株式会社
基板と対応CMPプロセス装置、材料をこの一冊で把握できる!
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › CMP装置 › CMP装置
エレクトロニクス関連セミナー／マーケティング情報 › マーケティング・レポート › 半導体
エレクトロニクス関連セミナー／マーケティング情報 › データベース › 半導体
セミナー：集積化・接合で重要性が⾼まるCMPプロセスの最新技術動向
グローバルネット株式会社
近年では、3D実装やチップレット化の進展に伴い、半導体製造におけるCMP（化学機械研磨）プロセスの重要性がますます高まっています。特に微細化が進む最先端デバイスでは、CMP後洗浄の高精度化とプロセス制御が重要な課題となっています。
エレクトロニクス関連セミナー／マーケティング情報 › 新聞・雑誌 › 半導体
電子デバイス用基板とCMP関連市場分析レポート2024
グローバルネット株式会社
基板と対応CMPプロセス装置、材料をこの一冊で把握できる!
エレクトロニクス関連セミナー／マーケティング情報 › マーケティング・レポート › 半導体
エレクトロニクス関連セミナー／マーケティング情報 › データベース › 半導体
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
