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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
Towards accurate CMP simulations: Bridging experimental data and numerical models for 6-in SiC wafers
Aixtal Corporation(https://aixtal.com/)、Roberto Iaconi
SiC
CMP
基本情報
SiC（シリコンカーバイド）は非常に硬く、研磨が困難な材料であるため、大量生産のための加工最適化が不可欠である。本研究では、6インチウェハの実験データに近いシミュレーション結果を得るために、物理パラメータを体系的に探索した。この包括的なパラメータ検索は、精度の高いシミュレーション結果を達成し、CMP（化学機械研磨）の最適化戦略の向上につながる。SiCの研磨最適化を目的として、実験と整合するシミュレーションを行うための物理パラメータを探索した。研磨条件を実験と同じに設定し、ウェハ形状を厚み測定データから補間。2304通りのシミュレーションを実施し、研磨量は5つのクラスタに分類された。結果、ウェハのプレストン係数が研磨結果のクラスタリングに最も影響を与えることが判明し、最適な値は0.01（μm/km）/kPaと示された。これにより、CMP最適化戦略の精度向上が期待される。
[なおこの発表は、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の助成を受けたプロジェクトJPNP21029から得られた成果に基づいている。]
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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