半導体用語集
STI
英語表記：Shallow Trench Isolation
多数のトランジスタを搭載するLSIは、隣接するトランジスタ同士を電気的に分離する必要がある。従来は、酸素を通さないSi窒化膜をマスクにして酸化し、SiO2領域を形成して（Local Oxidation of Silicon:LOCOS法）分離していたが、窒化膜/Si基板界面に酸素が入り込み、設計寸法より拡がるという問題が生じ、素子の微細化に対応できなかった。微細化に対応して設計寸法通りに素子分離を形成する方法として、Shallow Trench Isolation（STI）が採用されるようになった。この構造は、異方性エッチングによってSi基板に浅い（0.3μm程度）矩形の溝を彫り、CVDで酸化膜を埋め込んだ後、CMPを用いて余分なSiO2を除去するという方法で形成される。
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