半導体用語集
アッシング
英語表記：ashing
英語の辞書にash (灰)の単語は載っていてもashingの単語は載っていない。しかし、「灰化する」という状態をいい表わすにはashingの方が直感的で理解しやすい。そのため、誰がいい始めたのかは定かではないが国内業界で定着してしまった。半導体プロセス関連の国際学会でも通用しているようである。英語で表現する時にはstrippingあるいはetchingの方が無難ではある。
アッシングは感光性有機レジストのエッチングである。金属や酸化膜のエッチングと異なるのは微細加工するのではなくレジストそのものを取り去ることである。通常、酸素をプラズマ分解して活性な酸素原子およびオゾンを発生させ、基板上に輸送してレジスト剥離が行われる。簡単なようではあるが完全にレジストを除去するのは大変難しい。アッシング装置には多数枚処理用のバッチ式と枚葉処理式の装置がある。バッチ式装置は石英円筒の中に25～50枚のウェハを挿入して1度に処理する。放電方式としては半円筒型の対向電極型と同軸電極型がある。前者の方が速度は高いがチャージングダメージが発生する問題を抱えている。そのため、速度は低いがダメージの少ない同軸電極型が最近多く用いられるようになった。枚葉式装置に用いられる放電方式には静電結合型、誘導結合型、マイクロ波放電型などいくつかの放電方式があるが、いずれもダウンフロー方式である。
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