半導体用語集
イオン注入装置
英語表記：Ion Implantation System
イオン化した不純物を電界で加速し、試料に打ち込んで不純物を半導体などの材料に添加する方法である。装置内では、真空中でイオン化した不純物を電界で引き出し、電磁石の質量分離器で所望のイオンのみを選び出す。更に加減速、走査して、試料に注入する。加速電界で注入深さを制御し、ファラデイカップで計測したイオン電流値を積算して、注入量を制御する。これによりほぼ任意の不純物分布を形成することができる。熱拡散で不純物を導入する方法に比べて、より低温で高精度で任意の形状の不純物量の導入ができる。
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