半導体用語集
クリーニング
英語表記：cleaning
CMP法によりミラーポリッシングを行って作成した鏡面ウェハ表面には多数の汚染物質があり，要求される清浄度を達成するためにウェハ洗浄が行われる。汚染物質はパーティクル，金属不純物，有機物，自然酸化膜などに大別されるが，この節ではパーティクルを除去対象物としている。
パーティクルは組成から，有機物（衣服からのゴミや人体からのふけなど），無機物（SiO₂など），金属などに大別されるが，除去対象パーティクルの特性により適切な洗浄方法が選択される。
粒径の大きなパーティクル除去には，ジェットスクラブ，ブラシスクラブ，超音波洗浄などの機械的な作用を利用した物理的洗浄法が効果的である。超音波洗浄では，小さなバーティクルの除去効果を高めるため，従来より高い周波数のものが使用されている。
粒径の小さなパーティクル除去は，ウェハ表面の化学的処理により行われる。たとえばシリコンでは，SC-1（Standard Cleaning 1）洗浄液を用いた化学的な処理（ウェット洗浄と呼ばれる）が効果的であり，研磨工程後のウェハ洗浄に不可欠である。SC-1洗浄液はアンモニア水と過酸化水素水の混合液であり，通常NH₄0H:H₂O₂:H₂O=1:1:5の比率を持つ。SC-1洗浄は，シリコンのエッチングによるパーティクルのリフトオフおよびアルカリ液中でのパーティクルの再付着抑制効果により，バーティクル除去能力が非常に高い。なおパーティクル以外の汚染物質除去には他の洗浄液を用いてウェット洗浄が行われる。化合物半導体では種類ごとに異なったエッチング液が用いられる。
物理的洗浄とウェット洗浄を組み合わせて効果的にパーティクル除去が行われる。
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