半導体用語集
シリコン酸化膜
英語表記：silicon dioxide
半導体デバイスにおける層間絶縁膜としてシリコン酸化膜が用いられる。
トランジスタへの電極およびトランジスタ間の配線のためにこの層間絶縁膜に孔を開口する必要がある。この孔を一般的にコンタクトホール、ビアホールなどという。コンタクトホールのエッチングで問題になるのは、下地シリコンや電極材料との選択性をいかに確保するかである。そのた、シリコン酸化膜のエッチングが終了した時点でポリマーを堆積させる方法を用いている。この方法を実現するために般的にはフロロカーボンガス(CxFy) を用いる。フロロカーボンガスプラズマ中で発生するCF3+イオンは主にシリコン酸イ英のエッチング種であり、CF2ラジカルは下地材料へのポリマー堆積の前駆体(プリカーサ)である。これらの活性種を制御することが高速・高選択コンタクトホールエッチングを実現するうえで鍵となる。デバイスの高集積化に従って,層間絶縁膜の平坦化が加速し,深さがまったく異なるコンタクトホールのエッチングを同時に行うこととなるため、より高選択なシリコン酸化膜エッチングが要求されている。
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株式会社アルバック
CMDシリーズはSiH4やTEOSを用いたa-Si膜、シリコン酸化膜、窒化膜成膜用枚葉式CVD装置です。
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