半導体用語集
チャネリング
英語表記：channeling
結晶中に、加速されたイオンが突入する際に、格子が整列して配置しているために、結晶の隙間に沿って衝突を起こすことなく、深いところまで侵入する。チャネリングが発生するための結晶方向との角度が1から2度のイオンにより、異なったクリティカルアングルが存在する。チャネリングが起こると、制御性が損なわれるために、これを防止することが必要である。そのために表面に酸化膜などの非結晶の膜を通して注入することが行われる。結晶へのイオン注入時には、軸チャネリング、面チャネリングの二つの種類のチャネリングがある。それぞれの一例を図1に示す。(a)の軸チャネリングは、結晶に垂直にイオン注入する場合 に結品に沿って深く侵入する現象である。(b)の面チャネリングは、結晶面から軸方向に傾けた場合の結晶の一つ面に沿って深く侵入する現象を示す。(c)はランダム方向であり、最もイオンの侵入が浅くなる方向である。通常シリコン結晶では、 ( 100) 面を上 に して ( 110) から22.5度回転 (45度おきに対称な状態となる) させて、7度傾けた方向から注入する場合が最もチャネリングの抑えられるランダム方向となる。
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