半導体用語集
ホットウォール
英語表記：hot wall
ホットウォールに対比する用語は、コールドウォールである。CVD法では、反応容器内に置かれた基板は加熱されるのが一般的である。単純な多結晶Si堆積装置では、石英反応管中に、Siウェハを反応管の長手方向に垂直に配置されている。この反応管は電気炉で加熱される。この時、反応管入り口から導入されたガスも加熱され、また、基板は電気炉からの熱輻射で加熱される。この系では反応管圧力が1気圧程度の時、当然石英反応管を加熱される。このように反応管も加熱される方式をホットウォールと称している。通常のホットウォール方式では、反応管内にも膜が堆積し、Siウェハを載せているボート上に堆積が生じる。この不要部分の堆積物が、はがれ落ちてウェハ上へのパーティクルとなるため、定期的に石英管内のクリーニングあるいは交換が必要となる。
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