半導体用語集
ラッピング
英語表記：lapping
ラッピング工程は、シリコンウェハの製造工程のうち結晶育成、スライシングに続く3番目の工程に当たる。この工程では、スライシング工程で切断加工によってウェハ表層に誘起された破砕層（加工変質層）を取り除く。従来、スライシングは外周刃ソーあるいは内周刃ソーといった固定砥粒タイプの切削刃により行われていたため、切断加工により切断された面にはかなり深い加工変質層が形成される。一方、ラッピングは遊離砥粒による加工であるため、この加工により形成される加工変質層は相対的にかなり少ないものになる。シリコンウェハの加工工程においては、これ以降の工程では平坦度の制御と加工変質層の制御に主眼が置かれるため、仕上がり厚さよりも取りしろの管理が重視される。このため、ラッピング工程での仕上厚さの制御は最終製品としてのウェハ厚さに影響する。また、グローバルフラットネス（ウェハ全面基準の平坦度や、表面と裏面の並行度）についても、ラッピング工程での仕上がり形状の影響が大きい。これらの理由から、ラッピング工程では加工完了時のウェハの厚さ、平坦度などを1μm以下の単位で管理・制御する必要があり、この工程の管理はかなり重要である。しかしながら、近年ではウェハの大口径化に伴い従来のラッピング方式では加工に用いるラップ装置の定盤に巨大なものが必要となり、また同時に、LSIの高集積化に伴って必要になるウェハの平坦度を確保するための定盤への制度要求がますます厳しくなってきている。そこで最近になり従来のラッピング加工方式に替えて、高精度平面研削盤（グラインダあるいはフライス盤）を用いた研削加工を従来のラッピングに替えて利用する検討が進められている。シリコンウェハの平面研削盤による加工自体は現在ではまったく新しい技術というわけではなく、シリコンウェハ製品のバリエーションの一つである拡散ウェハの製造工程では適用工程こそ違うが、10年程度の実績がある。
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