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半導体用語集

リフトオフ

英語表記：lift off

<p>これは、基板表面にフォトレジストで反転パターンを形成しておき、これに垂直方向から金属などを蒸着し、そのレジストを剥離液やアセトンなどの溶液中で溶解して、レジスト上に堆積した金属膜を一緒に取り除く方法である。本方法は加算的エッチングと呼ばれ、一方レジストをマスクにエッチングする方法は減算的エッチングと呼ばれる。徴細な金属パターンを垂直形状で形成するためにドライエッチングよりも簡便な方法として魅力的である。</p><p>しかし、レジストの段差部分で金属膜が繋がらないようにすることが肝要であり、レジストの側壁形状に工夫が必要である。それには、金属を蒸着で堆積する時は、強い指向性で金属原子が飛来するので、レジストの端部にひさしを設けたり、レジストの断面形状を逆テーパ状、すなわちオーバハング状にして影を作ることが必要である。</p><p>スパッタ法を用いる場合は、このようなレジスト形状でも金属原子が側面にも付着し、リフトオフは難しいが、これを回避するためレジスト低部にアンダカットを形成することが行われている。また、金属膜を電子ピームやW フィラメントにより蒸着する際、その熱源によりレジストが変形し、順テーパ状になるとリフトオフはできない。
さらに、蒸着する前、通常は基板を洗浄するが、その洗浄工程にもレジストが変形しない配慮が必要である。</p><p>リフトオフに適するパターンは、可能なら凹凸のない平面的なパターンが望ましい。また、基板全面にレジストパターンの間隔が密である方がリフトオフに適しており、バターンの間隔が粗や孤立の場合はレジスト側壁に金属膜が付着しやすく、除去が困難になる。この場合には超音波を印加することもあるが、金属が全面的に剥がれる時があり、印加電力や時間に注意を要する。大面積基板からのリフトオフ時は、剥がれて溶液中に浮遊した金属膜の一部や大部分が基板に再び付着しない技術も不可欠である。</p>

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