半導体用語集
電解めっき
英語表記：electro plating
めっきする面に付けた金属膜とめっき液との間で通電して付けるめっき方法であり、スパッタ法やCVD法に代る金属膜形成技術として検討されている。半導体ICチップの実装においてバンプ電極（ICチップ側に付ける電極で、パッケージ電極との接点に当たる部分）など比較的設計寸法が大きい金属パターンの形成に用いられてきた技術であるが、最近微細Cu配線を実現する手段として見直されている。CuはA1のようにスパッタ法で成膜したプラズマエッチングで配線加工するという既存のプロセスでの加工が困難であり、代わりに溝へのCuを埋設した後、不要な表面Cu膜をCMPで除去する、いわゆるダマシンプロセスが適しているためである。このとき、Cuを溝に埋設する有力な方法として電解めっき法が研究されており、リフロースパッタやCVD法に比較して生産性が大きい点が有利である。方法は溝の配線パターンを形成後、TiN、TaN等のバリアメタルとシード膜としてのCu膜をスパッタ法にて付け、シード膜の外周部に電極を当て電流を供給してCuをめっきする。基本的には従来の電極めっき技術と同じであるが、高いアスペクト比をもつビアに埋設することや、微細化に見合った薄い成長膜厚で安定して成膜する性能が求められている。
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UFP型
株式会社荏原製作所
本装置は、半導体ウェーハにバンプ、再配線、ビア等の微細パターンを形成させるクリーンルーム設置型の電解めっき装置です。
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 検査装置 › 比抵抗測定装置
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