半導体用語集
CMP後洗浄
英語表記：post-CMP cleaning
CMPされたウェーハ表面を洗浄すること。研磨液中には砥粒や有機物、金属などの汚染物が含まれる。研磨後のウェーハは研磨装置と一連化された洗浄装置内でウェット状態のまま洗浄され、乾燥後に排出されるのが一般的である。洗浄方法としては、ウェーハを回転させながらブラシ洗浄やメガソニック洗浄が用いられることが多いが、必要に応じて薬液による処理も行われる。
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グローバルネット株式会社
近年では、3D実装やチップレット化の進展に伴い、半導体製造におけるCMP（化学機械研磨）プロセスの重要性がますます高まっています。特に微細化が進む最先端デバイスでは、CMP後洗浄の高精度化とプロセス制御が重要な課題となっています。
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