半導体用語集
CMP後洗浄
英語表記：post-CMP cleaning
CMPされたウェーハ表面を洗浄すること。研磨液中には砥粒や有機物、金属などの汚染物が含まれる。研磨後のウェーハは研磨装置と一連化された洗浄装置内でウェット状態のまま洗浄され、乾燥後に排出されるのが一般的である。洗浄方法としては、ウェーハを回転させながらブラシ洗浄やメガソニック洗浄が用いられることが多いが、必要に応じて薬液による処理も行われる。
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