半導体用語集
CMP後洗浄
英語表記：post-CMP cleaning
CMPされたウェーハ表面を洗浄すること。研磨液中には砥粒や有機物、金属などの汚染物が含まれる。研磨後のウェーハは研磨装置と一連化された洗浄装置内でウェット状態のまま洗浄され、乾燥後に排出されるのが一般的である。洗浄方法としては、ウェーハを回転させながらブラシ洗浄やメガソニック洗浄が用いられることが多いが、必要に応じて薬液による処理も行われる。
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【セミナー】半導体CMP後洗浄剤の機能設計と洗浄表面の評価技術
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半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、半導体洗浄は、パターン倒れを抑制しながら、微小なパーティクルや金属・有機汚染の除去、腐食抑制などを実施するという、厳しい状況にあります。 本セミナーでは、半導体洗浄の基礎から、CMP後洗浄剤の機能設計、物理洗浄のメカニズム、洗浄性能の評価技術まで幅広く解説するとともに、先端配線やハイブリッドボンディングなど、先端半導体プロセスにおける洗浄の課題と対策についても紹介し、皆様の課題解決の糸口になることを目指します。
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