半導体用語集
MOCVD
英語表記：metal organic CVD
容易に分解する有機金属化合物を供給原料として用いる化学気相成長法の一種。特に、単結晶基板上にエピタキシャル成長させる場合は、MOVPE法（metal organic vapor phase epitaxy）という。英語名称として、有機金属を指す場合、Organo Metal（OM）が正しいが、Metal Organic（MO）の言い方が定着している。MOCVDは、これまで化合物半導体や素子中での配線形成の成膜法として検討されてきた。化合物半導体の場合、GaAsのエピタキシャル成長への適用が、代表的である。成膜特性としては、結晶性の面ではLPE（liquid phase epitaxy）、VPE（vapor phase epitaxy）に、急峻性のめんではMBEに比べ劣っているものの、近年、大幅に改善されている。そのため、受発光デバイス（半導体レーザー、太陽電池など）や高速電子デバイスの実用化がなされている。一方、配線の膜形成の場合、良好な段差被覆性やホール埋め込み性をもつことから、微細配線への適用が試みられている。ここでは、Al膜やCu膜の原料ガスの開発が行われている。
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