半導体用語集
エッチング装置
英語表記：etching equipment
<p>エッチング (etching)とは、 シリコンやシリコン酸化膜 (Si02) などを希望の形にするために、物理的、化学的に、不要な部分を除去する方法で、エッチング装置とはこのプロセスを実現する半導体製造装置である。エッチングにはエッチャント (エッチング能力を持つ化学薬品で通常液体)に漬けてしまうウェット方式と、エッチング性を持つガスの中にウェハを入れてエッチングを行うドライ方式の二つがある。</p><p>エッチングに要求される事項は、
(1)選択比がえられること。
エッチングされる部分のエッチング速度と保護膜である部分のエッチング速度との比を選択比という。
(2)エッチング速度が制御できる程度の速度を持っていること。 エッチング速度が速すぎると、わずかなエッチング量の時、コントロールが難しい。エッチング速度が遅いと時間がかかる。 また、溶液中のエッチングの場合レジスト膜の膨潤や剥離などの悪影響が生じる。
(3)エッチングパターンの精度が高いこと。 これは、選択比にも深く関わることであり、保護されている領域にエッチングが進行すると、パターンの精度は悪くなる。
(4)エッチングプロセスそのものがデバイスの特性を劣化させないことなどが考えられる。</p>
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