半導体用語集
TDDB
英語表記：Time Dependent Dielectric Breakdown
時間依存性のある絶縁破壊現象で，ゲート酸化膜などの薄い酸化膜で起きる劣化現象をこう呼んでいる。絶縁破壊現象は電界依存のタイプが通常知られており，電界を徐々に増加していくと，ある電界で急激に絶縁破壊を起こす。一方，TDDBは瞬間的な絶縁破壊を起こさない低い電界でも，その電界をある時間かけていると，リークや絶縁破壊を起こす現象である。大きく3種類のモードに分類されることもある。
（1）絶縁膜中にピンホールなどの大きな欠陥があるための劣化で，歩留りに影響を与える。
（2）不純物などに起因する欠陥があるための劣化で初期故障期および偶発故障期に現われる。
（3）酸化膜本来の物性による劣化。
（2）の多くはバーンインによるスクリーニングが可能であるといわれている。良質の酸化膜では（3）のモードのみが現われる。
故障寿命の分布はワイブ分布で近似できる場合が多いが，対数正規分布でよく近似できる例もある。
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