半導体用語集
CVD
英語表記：chemical vapor deposition
化学気相成長法、化学蒸着法とも言い、原料となるガスを熱やプラズマなどで分解して前駆体を形成し、これを基板上に輸送して所望の物質を固体薄膜として得る方法のこと。一旦、基板上に原料ガスから分解された前駆体が吸着し、さらに基板表面で分解して固体になることで薄膜が形成されるのが一般的成長機構である。基板表面での分解反応が律速となる場合は基板の形状を反映した薄膜堆積が起こる。こうした特長を活かして配線間を埋め込んだり、段差形状を緩和したり、微細ホール内を埋め込みたい場合など、広く半導体製造プロセスに用いられている。薄膜化したい物質を直接熱やプラズマで気化させて薄膜化させる物理蒸着法と共に代表的な薄膜形成方法である。
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